NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, n ä³Î ¹× p ä³Î MOSFET, ´ÙÀÌ¿Àµå (ÀÌÁß ´ÙÀÌ¿Àµå Æ÷ÇÔ), »çÀ̸®½ºÅÍ, Æ®·£Áö½ºÅÍ, ÀúÇ× ¹× Ä¿ÆнÃÅÍ ¹× ±âŸ ±¸¼º ¿ä¼ÒÀÇ ÀÚµ¿ °¨Áö.
Æ®·£Áö½ºÅÍ, MOSFET º¸È£ ´ÙÀÌ¿Àµå ÁõÆø °è¼ö ¹×º£À̽º¸¦ °¨ÁöÇÏ¿© ÀÌ¹Ì ÅÍ Æ®·£Áö½ºÅÍ ÀüÁø ÆíÇâ Àü¾ÐÀ» °áÁ¤ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
³ì»ö ¹é¶óÀÌÆ®°¡ÀÖ´Â 12864 ¾×Á¤ µð½ºÇ÷¹À̸¦ »ç¿ëÇÏ°í ±¸¼º ¿ä¼ÒÀÇ ÇÉÀ» ÀÚµ¿À¸·Î Å×½ºÆ®ÇÏ°í LCD¿¡ Ç¥½ÃÇϽʽÿÀ.
MOSFET ÀÓ°è Àü¾ÐÀÇ °ÔÀÌÆ® ¹× °ÔÀÌÆ® Ä¿ÆнÃÅϽº¸¦ ÃøÁ¤ÇÕ´Ï´Ù.
Á¶Á¤ °¡´ÉÇÑ ÀüÀ§Â÷°è ÀúÇ×: 0.1 ¿È ÇØ»óµµ
ÃÖ´ë 50M ¿È
Ä¿ÆнÃÅÍ: 25pf -100,000 uf
ÀδöÅÍ: 0.01mh-20H
¿ø ¹öÆ° ÀÛµ¿, ÀÚµ¿ Á¾·á.
20nA Á¾·á Àü·ù ¸¸.
ÀÚµ¿ ½Äº° ±¸¼º ¿ä¼Ò ÇÉ ¹è¿.
¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ Àü·ù ÁõÆø °è¼ö ¹×º£À̽º ÀÌ¹Ì ÅÍ ÀÓ°è Àü¾Ð ÃøÁ¤.
±âº» ÀÌ¹Ì ÅÍ ÀÓ°è Àü¾Ð ¹× °íÀü·ù ÁõÆø °è¼ö¸¦ ÅëÇØ ´Þ¸µÅÏ Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ½Äº°ÇϽʽÿÀ.
¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ ¹× MOS Æ®·£Áö½ºÅÍ º¸È£ ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ °¨Áö ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
°ÔÀÌÆ® MOS FET ÀÓ°è Àü¾Ð ¹× °ÔÀÌÆ® Ä¿ÆнÃÅϽº¸¦ ÃøÁ¤ÇÕ´Ï´Ù.
µ¿½Ã¿¡ µÎ °³ÀÇ ÀúÇ×°ú ÀúÇ× ±âÈ£¸¦ ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ¿À¸¥ÂÊ¿¡ ¼Ò¼öÁ¡ °ª 4 ·Î Ç¥½ÃµË´Ï´Ù. ¾çÂÊÀÇ ÀúÇ× ±âÈ£´Â ÇÉ ¹øÈ£¸¦ ³ªÅ¸³À´Ï´Ù. µû¶ó¼ ÀüÀ§Â÷°è¸¦ ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ÀüÀ§Â÷°è ¿ÍÀÌÆÛ°¡ ±Ø´ÜÀû ÀÎ À§Ä¡·Î ¿Å°ÜÁöÁö ¾ÊÀ¸¸é ÇÉÀÇ Áß°£°ú ¾çÂÊ ³¡À» ±¸º° ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
ÀúÇ× ÃøÁ¤ Çػ󵵴 0.1 ¿ÈÀ̸ç, 50M ¿ÈÀ» ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
¿ë·® ÃøÁ¤ °¡´É 30pF-100mF, ÇØ»óµµ 1pF ÀÇ Ä¿ÆнÃÅϽº¸¦ ÃøÁ¤ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
2uF ´õ ¸¹Àº Ä¿ÆнÃÅÍ´Â µî°¡ Á÷·Ä ÀúÇ× ESR °ªÀ» µ¿½Ã¿¡ ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. µÎ °³´Â 10 Áø¼ö °ª, ÇØ»óµµ 0.01 ¿ÈÀ¸·Î Ç¥½Ã ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
»ö»ó: Ç¥½ÃµÈ ´ë·Î
ÀçÁú: ±Ý¼Ó + Çöó½ºÆ½
ÆÐÅ°Áö ³»¿ë¹°
1 x Ä¿ÆнÃÅÍ Å×½ºÅÍ (°í°´ÀÌ Á¶¸³ÇØ¾ß ÇÔ)
À§ÀÇ ÆÐÅ°Áö ³»¿ë¸¸, ´Ù¸¥ Á¦Ç°Àº Æ÷ÇÔµÇÁö ¾Ê½À´Ï´Ù.
Âü°í: °¡º¿î ÃÔ¿µ ¹× ´Ù¸¥ µð½ºÇ÷¹ÀÌ·Î ÀÎÇØ ±×¸²ÀÇ Ç׸ñ »ö»óÀÌ ½ÇÁ¦¿Í ¾à°£ ´Ù¸¦ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ÃøÁ¤ Çã¿ë ¿ÀÂ÷´Â +/- 1-3cm ÀÔ´Ï´Ù.